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測(cè)量參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg（MOSFET） Cies、Coes、Cres、Rg（IGBT）通道數(shù)：2-6VGS范圍：0-±40VVDS范圍：0 - ±200V/±1500V/±3000V測(cè)試頻率：1kHz-2MHz

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